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- 型号： MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR价格参考。Micron Technology IncMT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR 是一款高性能的DRAM（动态随机存取存储器）模块，主要用于需要高速数据处理和大容量内存的应用场景。 该产品适用于高端服务器、工作站、网络设备和工业控制系统等领域。其高带宽和低延迟特性使其在数据中心、云计算、人工智能（AI）推理、边缘计算等对性能要求严苛的环境中表现出色。此外，该存储器也适合用于需要长时间稳定运行的工业级设备，如工业自动化、通信基础设施和视频监控系统等。 该型号具备可靠的性能和良好的温度适应能力，适用于较为严苛的运行环境，同时支持高密度存储配置，满足复杂应用对内存容量和速度的双重需求。由于其高性能与稳定性，也常被用于嵌入式系统和高性能计算平台中。 总之，MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR 主要应用于对存储性能、稳定性和耐用性要求较高的高端技术设备和系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH/LPDRAM 12GBIT |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 168-VFBGA（12x12） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND，移动 LPDRAM |
| 存储容量 | 8G （512M x 16）（NAND）， 4G （128M x 32）（LPDRAM） |
| 封装/外壳 | 168-VFBGA |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | 200MHz |
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